Imágenes de los distintos formatos DDR
GDDR SDRAM
La SDRAM de doble velocidad de datos para gráficos (GDDR) se utiliza en tarjetas gráficas y de vídeo. Al igual que la SDRAM DDR, esta tecnología permite mover los datos en varios puntos del ciclo de reloj de la CPU. Sin embargo, funciona a voltajes más altos y tiene una sincronización menos estricta que la DDR SDRAM.
En tareas paralelas, como el renderizado de vídeo 2D y 3D, los tiempos de acceso ajustados no son tan necesarios, y la GDDR puede permitir las mayores velocidades y el ancho de banda de memoria necesarios para el rendimiento de la GPU.
Al igual que la DDR, la GDDR ha pasado por varias generaciones de desarrollo, y cada una de ellas ha proporcionado más rendimiento y menor consumo de energía. GDDR6 es la última generación de memoria gráfica.
Memoria RAM vs. memoria virtual
Un ordenador puede quedarse corto de memoria, especialmente cuando se ejecutan varios programas simultáneamente. Los sistemas operativos pueden compensar la escasez de memoria física mediante la creación de memoria virtual.
Con la memoria virtual, los datos se transfieren temporalmente de la RAM al almacenamiento en disco, y el espacio de direcciones virtuales se incrementa utilizando la memoria activa de la RAM y la memoria inactiva de un disco duro para formar direcciones contiguas que contengan una aplicación y sus datos. Usando la memoria virtual, un sistema puede cargar programas más grandes o múltiples programas que se ejecutan al mismo tiempo, dejando que cada uno opere como si tuviera memoria infinita sin tener que añadir más RAM.
La memoria virtual es capaz de manejar el doble de direcciones que la RAM. Las instrucciones y los datos de un programa se almacenan inicialmente en direcciones virtuales, y una vez que el programa se ejecuta, esas direcciones se convierten en direcciones de memoria reales.
Una de las desventajas de la memoria virtual es que puede ralentizar un ordenador porque los datos deben ser mapeados entre la memoria virtual y la física. Sólo con la memoria física, los programas trabajan directamente desde la RAM.
RAM vs. memoria flash
La memoria flash y la RAM están compuestas por chips de estado sólido. Sin embargo, desempeñan papeles diferentes en los sistemas informáticos debido a las diferencias en su fabricación, sus especificaciones de rendimiento y su coste. La memoria flash se utiliza como memoria de almacenamiento. La RAM se utiliza como memoria activa que realiza cálculos sobre los datos recuperados del almacenamiento.
Una diferencia significativa entre la RAM y la memoria flash es que los datos deben borrarse de la memoria flash NAND en bloques enteros. Esto hace que sea más lenta que la RAM, donde los datos se pueden borrar en bits individuales.
Sin embargo, la memoria flash NAND es menos costosa que la RAM, y también es no volátil. A diferencia de la RAM, puede mantener los datos incluso cuando está apagada. Debido a su menor velocidad, no volatilidad y menor coste, la memoria flash se utiliza a menudo como memoria de almacenamiento en los SSD.
RAM vs. ROM
La memoria de sólo lectura, o ROM, es una memoria de ordenador que contiene datos que sólo pueden leerse, no escribirse. La ROM contiene la programación de arranque que se utiliza cada vez que se enciende un ordenador. Por lo general, no se puede alterar ni reprogramar.
Los datos de la ROM no son volátiles y no se pierden cuando se apaga el ordenador. Por ello, la memoria de sólo lectura se utiliza para el almacenamiento permanente de datos. La memoria de acceso aleatorio, en cambio, sólo puede almacenar datos temporalmente. La ROM suele tener varios megabytes de almacenamiento, mientras que la RAM tiene varios gigabytes.
Tendencias y direcciones futuras
La memoria de acceso aleatorio resistiva (RRAM o ReRAM) es un almacenamiento no volátil que puede alterar la resistencia del material dieléctrico sólido del que está compuesta. Los dispositivos ReRAM contienen un memristor en el que la resistencia varía cuando se aplican diferentes voltajes.
La ReRAM crea vacantes de oxígeno, que son defectos físicos en una capa de material de óxido. Estas vacantes representan dos valores en un sistema binario, similar a los electrones y huecos de un semiconductor.
La ReRAM tiene una mayor velocidad de conmutación en comparación con otras tecnologías de almacenamiento no volátil, como la flash NAND. También promete una alta densidad de almacenamiento y un menor consumo de energía que el flash NAND. Esto hace que la ReRAM sea una buena opción para la memoria de los sensores utilizados en aplicaciones industriales, de automoción y del Internet de las cosas.
Los proveedores han luchado durante años para desarrollar la tecnología ReRAM y poner los chips en producción. En la actualidad, unos pocos proveedores los están comercializando.
La tecnología 3D XPoint, como la Optane de Intel, podría acabar llenando el vacío existente entre la RAM dinámica y la memoria flash NAND. 3D XPoint tiene una arquitectura de puntos cruzados sin transistores en la que los selectores y las celdas de memoria están en la intersección de cables perpendiculares. 3D XPoint no es tan rápida como la DRAM, pero es una memoria no volátil.
La SSD Optane de Intel basada en 3D XPoint
En términos de rendimiento y precio, la tecnología 3D XPoint se encuentra entre la rápida, pero costosa DRAM y la más lenta y menos cara NAND flash. A medida que la tecnología se desarrolla, puede difuminar la distinción entre la RAM y el almacenamiento.
5G y el mercado de la RAM
En febrero de 2019, la Asociación de Tecnología de Estado Sólido JEDEC publicó el JESD209-5, Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5). LPDDR5 funcionará finalmente a una tasa de E/S de 6400 MT/s, un 50 por ciento más alta que la de la primera versión de LPDDR4. Esto aumentará significativamente la velocidad y la eficiencia de la memoria para una variedad de aplicaciones. Esto incluye dispositivos informáticos móviles como smartphones, tabletas y portátiles ultradelgados.
LPDDR5 se publicó con una tasa de datos de 6400 MT/s, en comparación con los 3200 MT/s de LPDDR4 en su publicación en 2014.
En julio de 2019, Samsung Electronics comenzó a producir en masa la primera DRAM móvil LPDDR5 de 12 gigabits de la industria. Según Samsung, se ha optimizado para habilitar las funciones 5G y de IA en los futuros smartphones.
Coste de la RAM
En el verano de 2019, los precios de la DRAM se mantuvieron deprimidos con respecto a los niveles anteriores -pero volátiles, no obstante. Una serie de variables contribuyeron a la volatilidad, incluyendo:
un exceso de oferta
tensiones de mercado entre Corea del Sur y Japón (sede de los dos mayores fabricantes de chips de memoria del mundo, Samsung y SK Hynix)
la introducción del chip móvil de próxima generación, el LPDDR5
la mayor adopción de la tecnología 5G
un aumento previsto de la demanda de productos electrónicos de consumo en el Internet de las Cosas (IoT), como los automóviles y los dispositivos vestibles, que utilizan los chips
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